多芯片功率单元、半导体功率器件及功率电子设备

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多芯片功率单元、半导体功率器件及功率电子设备
申请号:CN202421975420
申请日期:2024-08-14
公开号:CN222939932U
公开日期:2025-06-03
类型:实用新型专利
摘要
本公开提供一种多芯片功率单元、半导体功率器件及功率电子设备,涉及半导体技术领域。其中,第一功率芯片单元和第二功率芯片单元分别设置于第一电路板上;多个功率端子中包括第一功率端子,第一功率芯片单元和第二功率芯片单元分别设有用于与第一功率端子导电连接的第一功率连接部;第一功率端子在平行于第一电路板的第一设定面的投影为第一投影;两个第一功率连接部在第一设定面的投影分别为第二投影,两个第二投影沿第一设定方向间隔分布;两个第二投影均位于设定矩形区域内,设定矩形区域沿其宽度方向的两边沿分别对应于两个第二投影设置,设定矩形区域的延伸方向与第一设定方向呈预设夹角设置;第一投影至少部分与设定矩形区域重合。
技术关键词
功率芯片 功率端子 可控开关 功率单元 半导体功率器件 多芯片 功率电子设备 电路板 封装单元 信号端子 散热板 导电路径 矩形 二极管 凸台结构 绝缘 导电板
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