一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路

本实用新型公开了一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路，属于检测电路技术领域，包括IGBT驱动芯片U、外部退饱和检测电路、IGBT和驱动电阻Rg，IGBT驱动芯片U和外部退饱和检测电路连接，IGBT驱动芯片U通过驱动电阻Rg与IGBT连接，IGBT与外部退饱和检测电路连接；所述外部的退饱和检测电路包括电容C2、三极管T1、电阻R3、比较器01、稳压管Z1、电容C1、电阻R1、电阻R2、二极管D1和二极管D2。通过上述方式，本方案不直接采用驱动芯片退饱和检测电路去进行IGBT集射极电压Vce检测，而是通过增加额外的电路进行检测，额外的电路可以将Vce退饱和判断电压设置为一个较高的值，相比较采用直接驱动芯片检测，具有更高的噪声容许值，抗干扰能力更强。