通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路

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通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路
申请号:CN202422565956
申请日期:2024-10-23
公开号:CN223461662U
公开日期:2025-10-21
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开了一种通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路,其特征在于,包括:检测单元,检测单元包括:PWM发射芯片、测试芯片、电阻R1、电阻RC、电阻RG2、二极管DC、二极管DG、三级达林顿管,测试芯片的VIN+引脚接+5V、VIN‑引脚接PWM信号,VIN‑引脚通过电阻R1接+5V,VE引脚通过并联的电阻RG2和二极管DG外设输出端G,VE引脚外设输出端E,DESAT引脚接电阻RC,电阻RC接三级达灵顿管和二极管DC后外设输出端C。适用于通用分立器件MOS和IGBT频率探测,通过改变PWM的大小就可以改变频率大小,进而实现通用分立器件MOS和IGBT频率探测且连续可调。
技术关键词
电源芯片 电源管理芯片 电阻 分立器件 测试电路 TVS二极管 电源输入模块 电源管理模块 端口 电感 频率 电源输出端 电容 连续可调 电压 信号
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