功率模组、逆变器和电驱动系统

本实用新型涉及电驱动技术领域，包括功率模组、逆变器和电驱动系统。功率模组包括嵌置在电路板中的多个芯片框架组件，每个芯片框架组件包括铜框架和嵌置在铜框架中的至少一个SiC芯片和至少一个硅基IGBT模块；其中：上桥SiC芯片的漏极及上桥硅基IGBT模块的发射极并联形成直流正极连接端，下桥SiC芯片的源极及下桥硅基IGBT模块的集电极并联形成直流负极连接端；上桥SiC芯片的源极连接下桥SiC芯片的漏极，上桥硅基IGBT模块的集电极连接下桥硅基IGBT模块的发射极，且各桥臂的连接节点并联形成交流连接端。本实用新型结合SiC芯片的高开关频率和低开关损耗的优点以及硅基IGBT模块的低成本和大电流低导通损耗的优点，实现提高功率模组的效率的同时，极大地降低成本。