一种三端LDO芯片老化测试装置

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正文
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一种三端LDO芯片老化测试装置
申请号:CN202422641039
申请日期:2024-10-31
公开号:CN223501118U
公开日期:2025-10-31
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型提供了一种三端LDO芯片老化测试装置,属于芯片测试技术领域。该三端LDO芯片老化测试装置包括:用于输出老化模拟信号的老化测试模块,老化测试模块包括依次串联的待测三端LDO芯片、电压跟随器及测试采样电阻,待测三端LDO芯片的输入端接入输入电压,待测三端LDO芯片的输出端与电压跟随器的正向输入端相连,电压跟随器的负向输入端与电压跟随器的输出端相连,电压跟随器的输出端与测试采样电阻的一端相连,测试采样电阻的另一端输出老化模拟信号。本实用新型的三端LDO芯片老化测试装置对不同参数的三端LDO芯片进行老化测试时,能够保证采集的输出电压稳定,实现老化测试条件的统一,保证老化测试结果的准确性。
技术关键词
芯片老化测试装置 采样电阻 测试模块 数据处理模块 数据显示模块 芯片测试技术 输入端 电源模块 处理器 稳压芯片 电压稳定 时钟模块 保险丝 电容 输出端 通道
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