摘要
本实用新型提供了一种射频芯片,包括:射频芯片主体、防水环、芯片隔离环、至少两密封环、至少一应力缓解环以及切割带;其中,所述射频芯片主体包括半导体器件,所述半导体器件位于SOI晶圆衬底的器件层;所述防水环围绕所述射频芯片主体设置;所述芯片隔离环围绕所述射频芯片主体设置并位于所述防水环外围;所述两密封环包括第一密封环与第二密封环,所述密封环围绕所述射频芯片主体设置,并且位于所述芯片隔离环外;所述应力缓解环中设置有空气隙,且所述应力缓解环围绕所述密封环设置;所述切割带围绕所述应力缓解环设置。本实用新型的射频芯片,通过在密封环外设置应力缓解环,进一步地缓解了内外应力,更好地保护了射频芯片主体。
技术关键词
射频芯片
密封环
SOI晶圆
应力
半导体器件
空气隙
隔离环
二氧化硅介质层
氮化硅
衬底