电容芯片结构

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电容芯片结构
申请号:CN202422686216
申请日期:2024-11-05
公开号:CN223333655U
公开日期:2025-09-12
类型:实用新型专利
摘要
本公开实施例提供了一种电容芯片结构,该电容芯片结构包括:玻璃衬底;第一导电层,第一导电层位于玻璃衬底的第一表面;电容介质层,电容介质层位于第一导电层远离玻璃衬底的一侧;电容介质层还覆盖第一导电层的侧壁,电容介质层设置有第一通孔;第二导电层,第二导电层位于电容介质层远离第一导电层的一侧;第二导电层的边界相对于第一导电层的边界向电容芯片结构的中心内缩;绝缘层,绝缘层位于第二导电层远离电容介质层的一侧;绝缘层设置有贯穿绝缘层的第二通孔和第三通孔;第一电气连接结构和第二导电层电连接;第二电气连接结构和第一导电层电连接。
技术关键词
芯片结构 电气连接结构 电容 导电层 介质 通孔 衬底 玻璃 缓冲层 焊盘 间距 绝缘 数值
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