半导体测试结构

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推荐专利
半导体测试结构
申请号:CN202422759723
申请日期:2024-11-12
公开号:CN223598722U
公开日期:2025-11-25
类型:实用新型专利
摘要
本申请涉及一种半导体测试结构,涉及半导体技术领域,半导体测试结构中,基底包括多个有源区;多个字线结构沿第一方向延伸且与有源区相交;多个绝缘柱位于字线结构上,并与字线结构直接接触;多个第一插塞和多个第二插塞,沿第二方向交替夹设在绝缘柱之间,且与有源区电连接,第一插塞还延伸至字线结构的侧壁处且与字线结构电连接;至少能够及时简便地检测出芯片中是否存在相邻导电插塞短路缺陷。
技术关键词
半导体测试结构 字线结构 绝缘柱 有源区 位线结构 基底 短路缺陷 阵列 简便地 导电 芯片
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