摘要
本申请涉及一种功率半导体器件、电子设备及车辆,在基板的两侧分别设置第一散热件和第二散热件,将第一功率芯片单元和第二功率芯片单元嵌入至基板中,并使第一功率芯片单元与第一散热件之间的距离小于第二功率芯片与第一散热件之间的距离,利用第一散热件和第二散热件分别对第一功率芯片单元和第二功率芯片单元进行散热,可以双面散热的效果,以此提高功率半导体器件的散热能力,因此可以解决由于功率半导体器件的散热能力受到限制导致工作性能降低的问题,从而可以在提高功率半导体器件的集成度的同时,增强功率半导体器件的工作性能。
技术关键词
功率芯片
功率半导体器件
表面导电层
散热件
散热基板
氮化镓高电子迁移率晶体管
栅极
电子设备
正面
片状结构
中心对称
柱状
车辆
阵列
双面
绝缘