低功耗的MZ干涉仪及基于硅基SOI芯片的低速相移器

本实用新型提出了一种基于硅基SO I芯片的低速相移器，以及借助该低速相移器实现的低功耗MZ干涉仪。在本实用新型中，突破了载流子色散型相移器通常适用于高速调制场景的固有思维，对现有载流子色散型相移器结构进行了独特的改进，尤其是不再在载流子色散型相移器中设置并联电阻，使其在低速调制场景下能够表现出大阻抗和极小电流，实现极小功耗，同时在工作中能够保证本身温度不变，从而获得更高的稳定性能。