用于QFN芯片测试座的散热结构

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正文
推荐专利
用于QFN芯片测试座的散热结构
申请号:CN202422902112
申请日期:2024-11-27
公开号:CN223503243U
公开日期:2025-10-31
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型属于QFN芯片测试散热应用技术领域,具体公开了用于QFN芯片测试座的散热结构,由上接地铜块和下接地铜块组成;所述上接地铜块,包括上对接板、上凸起部和上散热通孔;所述下接地铜块,包括下对接板、下凸起部和下散热通孔。本实用新型的用于QFN芯片测试座的散热结构的有益效果在于:1、相配合使用的上接地铜块、下接地铜块结构,可将检测过程中产生的多余热量的进行吸收,达到功耗扩散的目的,从而降低检测温度,杜绝温度过高对被测试芯片测试的产生影响现象的出现;2、整体为分体组合式设计,便于操作进行装配使用,提高检测效率、利于推广。
技术关键词
QFN芯片 散热结构 铜块 分体组合式 多边形结构 通孔 限位凹槽 功耗
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