测试结构及半导体结构
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测试结构及半导体结构
申请号:
CN202422915961
申请日期:
2024-11-28
公开号:
CN223501875U
公开日期:
2025-10-31
类型:
实用新型专利
摘要
本实用新型涉及一种测试结构及半导体结构,利用测试焊盘和测试导线与金属层、金属插塞连接成至少一条测试线路,对金属层或金属插塞进行开路缺陷检测时,检测由金属层或金属插塞构成的测试线路,根据测试结果即可确定金属层或金属插塞是否存在开路缺陷,能够在半导体芯片的制作过程中在线检测金属层或金属插塞的开路缺陷,同时还能够根据测试结果定位缺陷位置,提高了检测效率、降低了检测成本、提高了检出率及检测准确性。
技术关键词
测试焊盘
测试结构
导线
半导体结构
线路
定位缺陷位置
半导体芯片
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沪ICP备2023015588号