功率模块封装结构

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推荐专利
功率模块封装结构
申请号:CN202423078497
申请日期:2024-12-13
公开号:CN223552534U
公开日期:2025-11-14
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开了一种功率模块封装结构,包括:信号端子形成为基板上的孤岛形状信号端子,其第一端连接功率芯片,其第二端形成对外接口,其仅用于信号传输,不通过功率电流。本实用新型通过优化芯片焊接面信号端子的layout布局,通过孤岛形状信号端子和功率电流路径分离形成类似于电流孤岛的结构,使得功率回路电流不会流经测量回路,避免layout的寄生电感影响PCBA测量IGBT&SIC芯片表面电压应力的结果,使得无法做开尔文引脚的芯片焊接面获取设置开尔文引脚的效果。本实用新型的信号端子可以真实测量芯片表面电应力,对于IGBT&SIC应用设计可以优化安全裕量的设计,发挥器件更多的能力,减小达到同样能力需要花费的成本,同时减小由于测量不准带来的失效概率。
技术关键词
功率模块封装结构 信号端子 功率芯片 芯片焊接 开尔文结构 键合线 电流 基板 接口 回路 应力 电感 布局 电压
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