制造半导体装置的方法

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制造半导体装置的方法
申请号:CN202480002246
申请日期:2024-06-17
公开号:CN119547192A
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
一种制造半导体装置的方法,其包括:对具有第1电路部件、第2电路部件及热固性黏合剂层的层叠体,通过按压部件进行加热及加压,由此形成临时压接体的工序;及在加压氛围气下对临时压接体进行加热而形成连接体的工序。第1电路部件可以为半导体芯片。层叠体通过按压部件以1.50MPa以下的规定的压力进行加压。在通过按压部件对层叠体进行加热及加压期间的一部分或全部中,按压部件中的至少一者以成为热固性黏合剂层的起始温度以上的临时压接温度的方式进行加热。
技术关键词
层叠体 金属材料 半导体芯片 半导体装置 半导体晶圆 配线电路基板 热固性树脂 加热 压力 大气压 固化剂 速度 曲线 频率
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