一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法

本发明公开了一种Micro‑LED器件自对准填槽与钝化的方法，包括以下步骤：提供Micro‑LED器件，Micro‑LED器件包含阵列单元和阵列单元之间的沟槽；在Micro‑LED器件上制备介质层，介质层填充沟槽并覆盖所有阵列单元；固化介质层；使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，直至裸露所有阵列单元的上表面，在沟槽处形成图形化的钝化层。使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，无需制备掩膜和光刻，且可通过刻蚀工艺精准调控介质层高度，工艺简单；同时，由于规避了对版工步和显影液腐蚀工步，该工艺方法能够消除对版误差带来的界面间隙和台面残留问题，能够不受形状和尺寸约束地形成连接紧密的图形化钝化层，增加钝化结构的抗蚀刻性，提升器件制造良率。