超薄硅晶圆与载体的复合结构的切割方法

本发明公开了一种超薄硅晶圆与载体的复合结构的切割方法，包括：采用砂轮切割工艺对复合结构的正面进行切割，在切割处依次将超薄硅晶圆和键合胶层完全切透，形成划痕；采用激光切割工艺对复合结构的背面对准划痕的位置进行切割，将划痕处的载体切透，形成多个芯片颗粒。本发明中，结合了砂轮切割工艺和激光切割工艺两种传统工艺的优点，且规避了其缺点对超薄硅晶圆与载体的复合结构带来的不良影响，具有较高的可行性与容错率，便于对复合结构进行切割操作，且切割的成本低、效率高。