芯片样品的制备方法及电性测试方法

本发明提供一种芯片样品的制备方法及电性测试方法，芯片样品的制备方法包括以下步骤：提供待处理的芯片样品，所述芯片样品包括衬底、器件层和互连结构层，所述器件层设置在所述衬底一侧，所述互连结构层位于所述衬底和器件层上，且由下至上依次包括导电接触孔层和互连层，所述互连层通过所述导电接触孔层同时连通所述衬底和器件层，其中，所述器件层包括多个半导体器件；剥除所述互连层，并暴露出所述导电接触孔层；在所述导电接触孔层中打孔以形成检测通孔，所述检测通孔位于待测所述半导体器件的外侧，且所述检测通孔暴露出所述衬底。本发明通过在所述器件层中打孔制备检测通孔，所述检测通孔暴露出所述衬底，使得该在纳米探针测试时可以通过该检测通孔直接向衬底供电，这样就解决了导电接触孔因无法承受大电流而造成芯片样品烧毁的问题，提高了电性测试的成功流率，降低了电性测试的难度。