一种集成电路版图设计方法,芯片及电子设备

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一种集成电路版图设计方法,芯片及电子设备
申请号:CN202510002627
申请日期:2025-01-02
公开号:CN119997611A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种集成电路版图设计方法,芯片及电子设备,本集成电路版图设计方法中的晶体管包括多晶硅层、氧化扩散层、金属层、第一触点和第二触点,多晶硅层的两端分别连接至金属层和第一触点,氧化扩散层与多晶硅层连接,第二触点设置在氧化扩散层上,第二触点的数量为至少两个且对称设置在多晶硅层的两侧。P型晶体管和N型晶体管能够通过第一触点相互连接形成PN型晶体管,P型晶体管和N型晶体管之间也能够通过第二触点并排安装以形成一个完整的集成电路。本设计方法将各个晶体管模块化,从而便于相互拼装,无需考虑晶体管之间需要间隔的距离大小,且级间连线高度可定制,减少了级间寄生电容等寄生参数。本申请涉及集成电路设计领域。
技术关键词
P型晶体管 触点 多晶硅 扩散层 半导体 集成电路设计 电子设备 芯片 电路板 包裹 栅极 连线 层叠 外壳 矩形 参数 尺寸
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