半导体装置及半导体装置的制造方法

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正文
推荐专利
半导体装置及半导体装置的制造方法
申请号:CN202510009763
申请日期:2025-01-03
公开号:CN120376524A
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明的目的在于,提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法,该半导体装置能够抑制由镀层、树脂层及焊料层这三层构成的三相点产生在电极层上的情况,能够防止电极层产生龟裂。该半导体装置是被密封树脂密封的半导体装置,具有:半导体基板;设置在半导体基板的上表面侧的电极层;设置在电极层的上表面且具有第一区域及俯视时在第一区域的外侧的第二区域的镀层;设置在镀层的第一区域上的焊料层;以及形成于镀层,且用于堵塞焊料使其不从第一区域上向所述第二区域上流动的焊料堵塞部。
技术关键词
半导体装置 焊料 半导体基板 镀层 半导体芯片 栅极电极 保护膜 长方形 裂纹 涂布
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