摘要
本发明的实施例公开了一种集成电路芯片,包括第一存储单元阵列和第二存储单元阵列以及第一组位线和第二组位线。第一存储单元阵列具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的第一高度。第二存储单元阵列在第一方向上具有第二宽度,在第二方向上具有第一高度。第一组位线沿第一方向延伸,与第一存储单元阵列连接,与第一存储单元阵列重叠,并且位于第一金属层上。第二组位线在第一方向上延伸,连接至第二存储单元阵列,与第二存储单元阵列重叠,并且位于第一金属层上。至少第一宽度与第二宽度不同,或者第一高度与第二高度不同。本发明的实施例还公开了一种集成电路芯片的制造方法。
技术关键词
存储单元阵列
集成电路芯片
晶体管
位线
衬底
通孔
上沉积
导电