摘要
本发明的实施例公开了一种集成电路芯片,包括第一存储单元阵列和第二存储单元阵列以及第一组位线和第二组位线。第一存储单元阵列具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的第一高度。第二存储单元阵列在第一方向上具有第二宽度,在第二方向上具有第一高度。第一组位线沿第一方向延伸,与第一存储单元阵列连接,与第一存储单元阵列重叠,并且位于第一金属层上。第二组位线在第一方向上延伸,连接至第二存储单元阵列,与第二存储单元阵列重叠,并且位于第一金属层上。至少第一宽度与第二宽度不同,或者第一高度与第二高度不同。本发明的实施例还公开了一种集成电路芯片的制造方法。
技术关键词
存储单元阵列
集成电路芯片
晶体管
位线
衬底
通孔
上沉积
导电
系统为您推荐了相关专利信息
电池防反接电路
控制电路
NMOS管
开关单元
反相器
功率半导体模块
回路
嵌入式封装
DBC基板
芯片
硅基液晶芯片
半导体基板
信号线
电容结构
金属走线