一种基于SiC JFET器件的固态断路器主电路、系统及其运行方法

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一种基于SiC JFET器件的固态断路器主电路、系统及其运行方法
申请号:CN202510013154
申请日期:2025-01-06
公开号:CN119944582A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于SiC JFET器件的固态断路器主电路、系统及其运行方法,主电路包括:Q1、Q3和Q5依次串联形成第一串联模块,Q2、Q4和Q6依次串联形成第二串联模块,并将第一串联模块和第二串联模块的每一级分别并联,构成矩形网络,脉冲信号输入端分别经过Rg1和Rg2连接于Q1和Q2的栅极;C1~C3依次串联,且C1的一端接地,C1的另一端与C2相连的结点分别经过Rg3和Rg4对应连接于Q3和Q4的栅极,C2和C3相连的结点分别经过Rg5和Rg6对应连接于Q5和Q6的栅极;缓冲电路包括雪崩二极管D1~D3和稳压电阻R1~R3。
技术关键词
SiCJFET器件 固态断路器 霍尔传感器 雪崩二极管 稳压二极管 驱动芯片 缓冲电路 电流 微处理器 栅极关断电压 压敏电阻 信号 结点 模块 母线
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