先进电容纳米机电芯片第三代单元和反推力系统

本申请涉及纳机电（NEMS）的技术领域，公开一种先进电容纳米机电芯片第三代单元和反推力系统，包括侧面支柱、振膜和衬底，振膜固定于侧面支柱上；侧面支柱固定于衬底上，振膜位于衬底上方，且振膜和衬底之间设置有空腔；振膜的下方位于空腔内设置有用于支撑振膜的振膜托结构；振膜托结构固定于侧面支柱上。在振膜下方增加1层振膜托结构，从而增加了1个弹性力，即通过4力平衡，2个向上的弹性力和1个向下的静电力，以及1个重力，提高空间利用率CU。通过纳米机电芯片（CNUT）解决在传播介质中大声压收发超声的问题，本质是解决了高发射电压和超过结构设计极限的矛盾问题。