闪存的测试方法

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正文
推荐专利
闪存的测试方法
申请号:CN202510020311
申请日期:2025-01-06
公开号:CN119943121A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种闪存的测试方法,将闪存的存储单元全部擦除置“1”之后,再加电压进行浮栅缺陷筛查,通过该测试方法加在存储单元上的源区与位线的电压差远大于终端用户操作模式下的源区与位线的电压差;源区电压耦合到浮栅上,再叠加上存储单元因为擦除后自身的正电位,从而使得浮栅缺陷筛查获得远大于终端用户操作模式下的浮栅与位线之间电压差,以将存储单元的异常浮栅与位线击穿互连;对闪存进行写“1”操作,异常浮栅所在整列的存储单元写“1”失效,从而筛选出异常浮栅所在整列的存储单元。将浮栅缺陷芯片在良率测试阶段筛选出来,不流到终端用户,降低造成终端失效的可靠性风险。提高闪存的可靠性,避免闪存终端用户模式使用失效。
技术关键词
浮栅缺陷 测试方法 位线 存储单元阵列 分栅式闪存单元 电压 存储结构 隧穿氧化层 衬底 功耗 模式 电流 短路 矩阵 终端 芯片 动态
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