摘要
本发明公开了一种基于钛酸锶的人工光电突触器件及其在构建神经网络中的应用,属于人工光电突触器件技术领域,由下自上依次包括单晶Nb:STO衬底、Srn+1TinO3n+1薄膜层(n为1、2、3)及金属电极。本发明一种基于钛酸锶的人工光电突触器件表现出优异的电阻开关性能,变化幅度大于104。Sr2TiO4/Nb:SrTiO3异质结薄膜器件也显示出对可见光的敏感响应,通过电压调制实现了从易失性到非易失性器件行为的转变,说明Sr2TiO4/Nb:SrTiO3薄膜器件还是一种选择性光子突触,通过电压调制,器件特性可以在光电探测器和光电突触之间切换。
技术关键词
突触器件
钛酸锶
薄膜器件
人工智能网络
金属电极
光电探测器
光电检测器
单晶
异质结薄膜
衬底
薄膜层
电阻开关
记忆
电压
晶体
可见光
间距
矩阵