一种用于测试微结构中子探测器综合性能的系统

本发明提供一种用于测试微结构中子探测器综合性能的系统，包括中子慢化体，所述的中子慢化体前侧设有混合放射源和可开关γ屏蔽体；所述的中子慢化体内设有标准中子探测器、硅基微结构中子探测器和标准γ探测器，其中所述的硅基微结构中子探测器放置在恒温箱内；所述的标准中子探测器、硅基微结构中子探测器和标准γ探测器分别连接一个前端电子学器件，每个前端电子学器件均与多道计数器连接。本发明针对开发的硅基微结构中子探测器芯片原型系统进行辐射性能测试，包括热中子探测效率、n/γ甄别比、适用温度范围和计数率，以填补对三维结构硅基中子探测器测试的空白。