一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统

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一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统
申请号:CN202510027159
申请日期:2025-01-08
公开号:CN119416731B
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统,包括建立所有生成掩膜层的金属层和通孔的电学连接关系,排除系统辅助层,定义为双向连接关系;在进行版图检测时,定义检查规则,筛选出边缘距离为零且没有建立电学连接的区域,再定位到多晶硅栅两端都接线的区域;本发明通过建立金属层与通孔的双向电学连接并排除非电学层,确保信号有效传递,结合DRC和信号完整性分析,验证并优化连接设计,单向连接规则防止反向电流和噪声干扰,Flood‑fill算法快速识别未连接栅极区域,从而提高电路性能和可靠性。
技术关键词
信号完整性分析 栅极多晶硅 版图 模式识别技术 边缘检测算法 定义 排除系统 检查规则 通孔 关系 检测多晶硅 视觉特征 多晶硅栅极 图像处理技术 识别芯片 掩膜
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