摘要
本发明公开了一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统,包括建立所有生成掩膜层的金属层和通孔的电学连接关系,排除系统辅助层,定义为双向连接关系;在进行版图检测时,定义检查规则,筛选出边缘距离为零且没有建立电学连接的区域,再定位到多晶硅栅两端都接线的区域;本发明通过建立金属层与通孔的双向电学连接并排除非电学层,确保信号有效传递,结合DRC和信号完整性分析,验证并优化连接设计,单向连接规则防止反向电流和噪声干扰,Flood‑fill算法快速识别未连接栅极区域,从而提高电路性能和可靠性。
技术关键词
信号完整性分析
栅极多晶硅
版图
模式识别技术
边缘检测算法
定义
排除系统
检查规则
通孔
关系
检测多晶硅
视觉特征
多晶硅栅极
图像处理技术
识别芯片
掩膜