半导体晶圆清洗效果的实时检测与监控方法

本发明涉及信息技术领域，具体涉及半导体晶圆制造技术领域的半导体晶圆清洗效果的实时检测与监控方法，包括：引入快速化学分析技术，结合电化学传感器和光谱分析，实时监测晶圆表面的金属离子残留，缩短检测周期，实现生产线上的即时反馈；构建实时反馈控制系统，根据综合评估模型的输出，自动调整清洗设备的工作参数，优化清洗过程，减少清洗液的使用量和环境影响；集成边缘计算技术，将数据处理和分析任务下沉到清洗设备端，减少数据传输延迟，提高实时监控和反馈控制的响应速度；开发可视化监控平台，将清洗过程的关键参数、检测结果和预测趋势以图形化方式展示，便于操作人员实时掌握清洗状态，快速响应异常情况。