一种基于有限元模型修正的缺陷态密度提取方法

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及到一种基于有限元模型修正的缺陷态密度提取方法，是基于半导体材料缺陷态在能带图上呈高斯分布特性设定第一缺陷态密度，在仿真软件中，向无缺陷待测半导体添加第一缺陷态密度，构建具有缺陷的待测半导体仿真模型，以提取出待测半导体的电容‑电压曲线。利用电容‑电压曲线从实际待测半导体中提取出第二缺陷态密度，并对第二缺陷态密度的峰值进行拟合,得到高斯函数的三个参数利用这三个参数对第二缺陷态密度进行修正，得到实际待测半导体的缺陷态密度。本发明通过通过引入修正因子，实现了更大能量范围态密度提取，具有测试条件简单便于操作、测试数量准确，且不损伤样品和改变态密度分别等优点。