NAND FLASH寿命预测与管理方法及相关设备

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NAND FLASH寿命预测与管理方法及相关设备
申请号:CN202510055905
申请日期:2025-01-14
公开号:CN119473169B
公开日期:2025-04-22
类型:发明专利
摘要
本发明涉及闪存技术领域,公开了一种NAND FLASH寿命预测与管理方法及相关设备。该方法包括:通过对目标闪存的物理电气参数和环境错误参数进行多维采集和特征提取,并对获取的基础特征数据进行时序对齐和预处理,得到多模态参数数据;进而通过多层次特征提取和关联分析并构建多维度特征空间,并基于特征配对和融合分析,生成初始融合特征矩阵,并通过错误系数和性能衰退计算以及多P/E循环尺度的性能预测,生成寿命预测结果,并基于性能状态参数进行阈值划分和偏差计算,以及裕度的加权计算和状态评估,得到安全运行裕度和健康状态评估结果;最后基于状态等级划分和参数映射,生成运行管理结果。实现了闪存寿命的高效精确预测与管理。
技术关键词
参数 融合特征 多模态 数据 多层次特征提取 管理方法 错误特征 寿命 矩阵 干扰特征 电气特征 闪存单元 时序 偏移特征 电压稳定 存储块 序列特征 编程 管理设备
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