GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构

本申请公开了一种GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构，方法包括如下步骤：提供芯片和框架，其中框架的上侧表面设有功能区和引线区；将芯片固晶在框架的功能区；S3，设置连接在芯片和框架的引线区之间的键合线；于芯片的表面、键合线的表面和框架的引线区制备防水绝缘膜层；制备包覆芯片、键合线和框架的引线区的封装胶体。相较GaN HEMT芯片的传统封装手段而言，本申请实施例中GaN HEMT芯片的封装结构新增了防水绝缘膜层，进而能够提高GaN HEMT器件的防潮性能和绝缘性能，有利于改善水气侵入导致的失效问题。