一种半导体结构的制作方法

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一种半导体结构的制作方法
申请号:CN202510058274
申请日期:2025-01-14
公开号:CN119894198A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种半导体结构的制作方法,该方法通过先对衬底进行切割形成若干个相互独立的待键合芯片,每个待键合芯片包括一个像素结构、以及经切割形成的部分衬底,再将每个待键合芯片与驱动基板上相对应的驱动结构一一对应地键合。因此,一方面,待键合芯片在衬底上的排布与驱动结构的排布无关,使得衬底上的待键合芯片能够排布地更加密集,从而节约了像素结构材料,进一步地提高了像素结构材料的利用率;另一方面,驱动基板的尺寸与像素结构所在的衬底的尺寸无关,使得驱动基板包括更多数量的驱动电路,从而提高了驱动基板材料的利用率。
技术关键词
半导体结构 像素结构 驱动结构 驱动基板 芯片 衬底上生长外延层 金属反射层 半导体层 电极 蓝宝石衬底 像素点 发光层 电路 热压 尺寸
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