超高像素密度Micro-LED微显示器件光电转换方法及系统

本发明涉及微显示器件技术领域，公开了一种超高像素密度Micro‑LED微显示器件光电转换方法及系统。所述方法包括：对III‑V族半导体材料进行光刻和刻蚀，得到LED像素阵列结构及其等效电路模型；对等效电路模型进行光强响应测量，得到响应特性数据；根据响应特性数据对LED像素阵列结构进行光强调制，得到PWM驱动控制参数；基于PWM驱动控制参数对LED像素阵列结构进行时间尺度协调，得到实时控制参数；根据实时控制参数对LED像素阵列结构进行功率分配，得到像素功率补偿参数；对像素功率补偿参数进行控制优化，得到显示性能参数，本发明提升了Micro‑LED微显示器件的动态显示性能，保证了在LED像素阵列上的可靠性和稳定性。