一种360度无盲区微型角位移磁探头芯片、制备方法和应用

本发明涉及电气机械技术领域，具体涉及一种360度无盲区微型角位移磁探头芯片、制备方法和应用。所述芯片从下到上依次包括：衬底，所述衬底为传统的硅基片晶圆；AMR薄膜层，所述AMR薄膜结构为种子层/AMR磁性功能层/保护层；绝缘介质层，用于不同金属层之间的电气绝缘；AHE薄膜层，所述AHE薄膜结构为缓冲层/活性层/覆盖层；通过将各向异性磁阻(AMR)元件和反常霍尔效应(AHE)元件集成在一个芯片上，本发明能够实现0~360度范围内任意角度的唯一性探测。AMR元件负责0~180度范围内的高精度测量，而AHE元件则用于判定磁场极性，从而解决了传统AMR传感器只能探测0~180度的问题。