霍尔磁传感器的电路模型及其仿真模型构建方法

本发明提供了一种霍尔磁传感器的电路模型及仿真模型构建方法，通过在电路模型中引入二极管单元仿真霍尔磁传感器表面的P+掺杂区与工作区之间的寄生二极管，并获取霍尔磁传感器表面掺杂区与工作区之间的寄生二极管的模型参数曲线、电阻单元的电阻参数、电路模型的饱和效应参数以及霍尔磁传感器的灵敏度拟合参数；根据寄生二极管的模型参数曲线、电阻参数、饱和效应参数以及灵敏度拟合参数，建立霍尔磁传感器的电路模型相对应的仿真模型，实现了对霍尔磁传感器的漏电现象以及电流饱和现象的仿真，从而提升对霍尔磁传感器的仿真精度。