一种高效率高功率输出放大器芯片设计方法

本发明公开了适用于微波雷达一种高效率高功率输出放大器芯片设计方法，通过采用氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)作为核心放大器件，结合逆F类放大器拓扑结构，优化输入阻抗匹配网络和输出谐波控制网络，成功实现了在5.8GHz中心频率带宽800MHz的工作条件下的高效高功率输出。最终的设计的实验数据显示，该放大器在控制三次谐波时的理论效率为90.7％，理想电路模型的仿真中功率附加效率(PAE)为71.1％，37.4dBm最终的电磁仿真阶段，考虑了实际电路的寄生效应、传输损耗以及元器件的非理想特性，功率附加效率为67.2％，输出功率为48.4dBm即69.18W，增益为11.6dB。本发明适用于微波雷达发射机及其他高功率高频电子设备。