一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法

本申请涉及半导体器件制造技术领域，本申请提供一种用于减少电噪声的TMBS半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：选取半导体材料作为TMBS基底，使用化学气相沉积在半导体基底表面形成氧化层，使用光刻技术在氧化层上定义沟槽的位置，使用反应离子技术在氧化层上刻蚀出沟槽，形成金属MOS栅极，在金属MOS栅极接触沟槽的底部氧化层完全覆盖保护层，侧壁氧化层20%‑50%部分覆盖保护层，在TMBS基底上设置TMBS芯片，使用封装材料进行包裹和固定。本申请通过对底部氧化层和侧壁氧化层进行合理保护层覆盖，优化电场分布，降低TMBS半导体器件制造过程由于不均匀电场引起的噪声。