一种三维芯片的静电防护仿真方法及系统

本发明涉及静电防护仿真技术领域，具体公开了一种三维芯片的静电防护仿真方法及系统，包括以下步骤：步骤S1：收集以往进行静电防护仿真的相关数据，包括每次仿真的仿真条件参数、仿真结果以及三维芯片的硬件参数；步骤S2：对当前需要仿真的三维芯片，获取其硬件参数，并与历史数据中的硬件参数进行比较，计算相似度；选取出与当前芯片硬件参数相似度高的历史芯片数据；步骤S3：从历史数据中筛选出与当前芯片硬件参数相似的芯片的仿真条件和结果，计算这些相似条件下的通过率，并识别出通过率低于特定阈值的仿真条件作为重点考虑的仿真条件；步骤S4：根据重点仿真条件参数，对当前三维芯片进行静电防护仿真，以评估其在类似条件下的性能和可靠性。