一种LED芯片及其制备方法

本发明涉及光电技术领域，公开了一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括依次层叠的N电极层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层、P电极层，所述N电极层上设有若干根N电极柱，所述N电极柱穿过所述N型GaN层、所述多量子阱发光层、所述P型GaN层、所述P电极层和所述P电极基板后与N电极基板相连，所述P电极层上设有若干根P电极柱，所述P电极柱与P电极基板相连，所述P电极基板和所述N电极基板设于所述P电极层下方。本发明提供的LED芯片使得电流分布不均所致谐波问题能够因电极分布方式的改善而得以有效解决。