带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法

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带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法
申请号:CN202510092930
申请日期:2025-01-21
公开号:CN119880241B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
一种带应力孔的一字梁双岛结构高压压力传感器芯片及制备方法,包括由下向上设置的支撑层、绝缘层和器件层;支撑层背部刻蚀有空腔,空腔正上方为敏感膜,敏感膜上设有一字梁双岛结构;在一字梁双岛结构的边缘与中心处分别布置有四个压敏电阻条,四个压敏电阻条通过五个P型重掺杂硅引线连接成半开环惠斯通电桥,五个P型重掺杂硅引线区域中心处设置有五个金属点电极,周围外侧设有密封圈,相邻P型重掺杂硅引线与密封圈间通过细缝相隔;本发明有效提升其压力承受极限,在确保高量程的同时,实现优异的灵敏度和线性度表现,具备数十至数百兆帕高压测量能力,耐受温度高达400℃,广泛适用于石油、天然气、化工及高压设备监测等领域。
技术关键词
压敏电阻 高压压力传感器 芯片 SOI硅片 引线 惠斯通电桥 高压设备监测 电子束蒸发技术 应力 刻蚀深度 二氧化硅 密封圈 氮化硅 空腔 刻蚀器件 电极 电路保护 方形 晶面 凹槽
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