半导体组件及其形成方法

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半导体组件及其形成方法
申请号:CN202510095131
申请日期:2025-01-21
公开号:CN119965158A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本申请的实施例公开了半导体组件及其形成方法。多个处理器管芯可以附接到中介结构,所述中介结构包括其中形成有中介金属互连结构的中介介电材料层。介电基质可以在所述中介结构上方的所述多个处理器管芯周围形成。路由管芯可以附接到多个处理器管芯。所述路由管芯包括其中形成有路由金属互连结构的路由介电材料层以及其中形成有路由衬底穿通孔结构的路由衬底。路由衬底的背侧可以被减薄,从而暴露所述路由衬底穿通孔结构的端面。在减薄所述路由衬底的所述背侧之后,将存储器管芯附接到所述路由衬底。所述存储器管芯的接合焊盘电连接到所述路由衬底穿通孔结构。
技术关键词
金属互连结构 通孔结构 存储器管芯 介电材料层 处理器 半导体组件 焊盘 载体衬底 沉积介电材料 存储器芯片 介电层
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