金属氧化物半导体的建模方法

本发明提供了一种金属氧化物半导体的建模方法，包括：建立初始子电路仿真模型，如下：其中，Y_MF为多叉指效应修正参数，NF为MOS器件栅极的叉指数、Xnf0、A、Xnf1、B、Xnf2、C、Xnf3、D、Xnf4、E、Xnf5和F均为拟合参数，W为沟道宽度，L为沟道长度，Xnf6为拟合参数；获取金属氧化物半导体在不同叉指数、不同沟道宽度和不同沟道长度下的多个实测电学特性参数；调整拟合参数，使得在不同叉指、不同沟道宽度和不同沟道长度下仿真得到的多叉指效应修正参数的误差均在设定值内时，确定此时对应的拟合参数的值；建立如下多叉指效应模型：Y＝K+Y_MF。