多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统

本发明涉及IGBT模块监测技术领域，具体公开了一种多芯片IGBT模块芯片开路失效监测方法及系统，首先确定监测多芯片IGBT模块芯片开路失效的健康敏感参数，然后测量多芯片IGBT模块的健康敏感参数值并将其转化为模拟电压信号VPG，然后确定判定多芯片IGBT模块发生芯片开路失效的模拟电压信号VPG的失效阈值VREF3，最后将实测的模拟电压信号VPG和失效阈值VREF3进行比对，判定多芯片IGBT模块是否发生芯片开路失效。本发明在不拆封多芯片IGBT模块封装的情况下，实现多芯片IGBT模块芯片开路失效监测，且仅需要采集栅极电压信号，受影响因素少，易于测量，具有非侵入性，可即插即用或集成在驱动电路中，易于实现多芯片IGBT模块的芯片开路失效原位监测。