用于量子比特芯片的原位测试装置及方法

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用于量子比特芯片的原位测试装置及方法
申请号:CN202510117025
申请日期:2025-01-24
公开号:CN119936624A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于量子比特芯片的原位测试装置及方法,装置包括激光辐照单元、测试台、探针结构和电学特性检测器件;测试台的内部设置真空腔体,测试台的侧壁开设与真空腔体连通的视窗和至少两个探针接口,真空腔体内设有样品台,样品台承载量子比特芯片;激光辐照单元用于产生激光;探针结构包括至少两组探针臂和探针,探针臂贯穿探针接口,探针臂的第一端位于真空腔体内,第二端位于真空腔体外,探针固定安装于探针臂的第一端且与探针臂电连接,探针臂的第二端与电学特性检测器件电连接。本发明能够解决量子比特芯片的氧化层影响电学特性测试准确性的问题,并有效提高量子比特芯片电学特性测试的效率。
技术关键词
量子比特芯片 原位测试装置 真空腔体 检测器件 探针结构 电馈通件 测试台 样品台 屏蔽线缆 原位测试方法 分子泵 视窗 机械泵 超高真空 接口 激光器
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