一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法

本发明涉及半导体技术领域，解决了传统静电吸盘无法适用于复杂的刻蚀工艺环境，同时难以精确控制静电吸盘表面各处温度的技术问题，尤其涉及一种新型刻蚀静电吸盘、温度自适应控制装置及方法，包括划分区域、获取实时的温度数据、建立初始数学模型、优化初始数学模型、计算目标流速以及循环时间、反馈至冷却系统实现自适应控制。本发明能够在复杂的刻蚀工艺环境下，更加精确地控制冷却介质的流速，实现对静电吸盘温度的高效、稳定自适应控制，提高半导体刻蚀工艺的质量和可靠性，减少因温度波动导致的晶圆缺陷，为半导体制造产业提供了一种先进的温度控制技术解决方案。