IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板及制造方法和组装产品

本发明公开了IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板及制造方法和组装产品，涉及IGBT器件技术领域，可解决目前封装不够可靠，芯片整体的平整度和散热性能不够优异的问题。本发明实施例的IGBT器件用的半埋式陶瓷覆铜载板的制造方法，包括以下步骤：S1、在铜载板主体表面覆盖防腐蚀蓝膜；S2、打在防腐蚀蓝膜预设的安装蚀刻区和应力过渡蚀刻区内打出安装蚀刻膜孔阵和应力过渡蚀刻膜孔阵；应力过渡蚀刻区分布于安装蚀刻区的周侧；安装蚀刻膜孔阵的孔面积总和占比大于应力过渡蚀刻膜孔阵的孔面积总和占比；S3、进行化学蚀刻，形成位于安装蚀刻区下方的安装槽和位于应力过渡蚀刻区下方的应力过渡结构；应力过渡结构分布于安装槽的周侧。