存储装置及其制造方法

一种存储装置及其制造方法，所述制造方法包括：提供阵列基底；在所述阵列基底的第一表面形成开关器件；在所述第一表面形成开关器件之后，在所述第一表面上键合控制芯片；在所述第一表面上键合控制芯片之后，在所述阵列基底的第二表面上形成存储电容，其中，所述第二表面和所述第一表面相背设置。键合控制芯片之后，再形成存储电容，能够有效增加存储电容形成之前的制造工艺步骤，使得更多的工艺步骤解除存储电容中材料的限制，能够有效降低存储装置的制造工艺难度，能有效扩大存储装置的制造工艺窗口；而且键合控制芯片之后，以所述控制芯片提供机械支撑形成存储电容，能够省去额外提供的承载晶圆，能够有效降低所述存储装置的制造成本。