钴纳米互连线及其制备方法

本申请提供了一种钴纳米互连线及其制备方法，属于集成电路领域。本申请通过在双通PC膜一侧磁控溅射沉积Au层，在Au层上电沉积Cu层，在双通PC膜的孔道内电沉积钴纳米互连线，将Au层从双通PC膜上剥离，溶解双通PC膜并离心分离，得到钴纳米互连线。本申请通过磁控溅射和电沉积技术相结合，可实现钴纳米互连线的可控生长，与目前芯片互连工艺具有较高的兼容性；通过控制电沉积工艺参数，可以对钴纳米互连线进行织构和长径比的调控。该方法步骤简单，易于实现工业化生产，降低生产成本，制备出的钴纳米互连线在芯片互连等领域具有广泛的应用潜力。