一种可实现芯片产热抑制与快速散热的热管理方法

本发明公开了一种可实现芯片产热抑制与快速散热的热管理方法，步骤包括：S1.选择硅作为衬底材料，并进行清洗；S2.以清洗后的衬底材料为基础，制作栅极及氧化层样品；S3.基于栅极及氧化层样品，制作待刻蚀样品；S4.基于待刻蚀样品，制作可实现产热抑制与快速散热的芯片；并通过制备的芯片，完成功率器件的热管理。本发明具有广泛的应用前景，可直接适用于各类电子设备领域，包括但不限于高性能计算系统、数据中心服务器、移动通信设备、集成电路(IC)、微处理器(CPU/GPU)、LED照明装置、电动汽车以及可再生能源转换系统等。本发明可以应对电子器件在运行过程中产生的热量，从而确保器件的稳定运行和延长使用寿命。