一种无伪距误差扰动的电离层倾斜电子总量计算的方法

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推荐专利
一种无伪距误差扰动的电离层倾斜电子总量计算的方法
申请号:CN202510130806
申请日期:2025-02-06
公开号:CN119596341A
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种无伪距误差扰动的电离层倾斜电子总量计算的方法,包括以下步骤:读取导航文件、观测文件;基于观测文件中的相位观测值,进行周跳探测并剔除发生周跳时刻对应观测值;基于未被剔除的相位观测值,获得基于相位的相对STEC序列;基于未被剔除的伪距观测值,进行平滑,结合导航星与接收机差分码偏差得到绝对STEC;计算相位观测的相对STEC序列与相位平滑伪距得到绝对STEC的偏差;通过步骤S5的偏差修正相位观测的相对STEC序列得到相位观测的绝对STEC序列。本发明有益效果:本方法提高STEC反演精度,可以获得较相位平滑伪距算法连续性更好的电离层倾斜电子总量序列,可极大提升高精度电离层改正/建模、电离层扰动与异常变化等电离层研究领域的应用率。
技术关键词
相位观测值 接收机 序列 总量 伪距 偏差 电子 误差 波长 精度 频率 校正 滤波 连续性 坐标 轨道 算法 基础 参数 数据
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