半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件

本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件，该半导体结构的制造方法包括：提供基底；基底包括器件区和非器件区；其中，器件区内和非器件区内分别形成有相对应的离子掺杂区；形成于器件区内的离子掺杂区和形成于非器件区内的离子掺杂区在同一工序中基于同一掩膜形成；在器件区内的离子掺杂区表面形成金属栅极结构；在金属栅极结构远离基底的一侧形成栅极接触结构，并对应非器件区形成电阻接触结构；其中，栅极接触结构与金属栅极结构远离基底的表面接触；电阻接触结构与非器件区内的离子掺杂区直接接触。通过本申请实施例，减少了为制造电阻增加的额外的工艺步骤和掩膜，简化了系统级芯片中电阻的制造工艺。